晶盛機電最新交流紀要

2026年3月3日，晶盛機電(300316)發(fā)布投資者關(guān)系活動記錄表。

1、請介紹一下公司光伏業(yè)務(wù)的布局？

答：公司作為全球技術(shù)和規(guī)模雙領(lǐng)先的光伏設(shè)備供應(yīng)商，業(yè)務(wù)覆蓋光伏全產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵裝備、核心耗材及智能工廠整體解決方案，致力于為客戶提供具備全球競爭力的產(chǎn)品與服務(wù)。在光伏裝備端，公司產(chǎn)品覆蓋硅片、電池、組件全環(huán)節(jié)，可提供整線解決方案，具體包括晶體生長、加工、電池工藝（如PECVD、ALD）及去銀化組件設(shè)備等關(guān)鍵設(shè)備。在光伏耗材端，公司石英坩堝實現(xiàn)技術(shù)規(guī)模雙領(lǐng)先；金剛線產(chǎn)品在切割效率與穩(wěn)定性上表現(xiàn)突出，并已實現(xiàn)高品質(zhì)鎢絲金剛線量產(chǎn)。在智能制造端，公司通過裝備的數(shù)字化與智能化聯(lián)通，為客戶提供自動化、數(shù)字化的智能工廠解決方案，助力其降本增效。

2、請介紹一下在光伏裝備端，公司具體有哪些產(chǎn)品布局？

答：在光伏裝備領(lǐng)域，公司產(chǎn)品覆蓋了硅片、電池和組件環(huán)節(jié)，為客戶提供光伏整線解決方案。硅片制造端，公司的主要產(chǎn)品有全自動晶體生長設(shè)備（單晶硅生長爐）、晶體加工設(shè)備（環(huán)線截斷機、環(huán)形金剛線開方機、滾圓磨面一體機、金剛線切片機）、晶片加工設(shè)備（脫膠插片清洗一體機）、晶片分選檢測設(shè)備等；在電池端，公司開發(fā)PECVD、擴散、退火、單腔室多舟ALD和電池切割邊緣鈍化（EPD）設(shè)備等多種電池工藝設(shè)備；在組件端，公司開發(fā)了含排版機、邊框自動上料機、灌膠檢測儀等多道工序的組件設(shè)備產(chǎn)線。同時，通過實現(xiàn)各裝備間的數(shù)字化和智能化聯(lián)通，向客戶提供自動化+數(shù)字化的智能工廠解決方案，促進客戶生產(chǎn)效率提升，實現(xiàn)降本增效。

公司單晶硅生長爐在光伏行業(yè)實現(xiàn)了技術(shù)和規(guī)模雙領(lǐng)先，切片機、脫膠插片清洗一體機以及分選裝盒一體機以創(chuàng)新的設(shè)計和工藝，實現(xiàn)了生產(chǎn)效率和質(zhì)量的大幅提升；差異化設(shè)計和工藝的電池設(shè)備，在穩(wěn)定性、均勻性以及效率等方面表現(xiàn)優(yōu)異，得到客戶的廣泛認可；創(chuàng)新的去銀化組件設(shè)備，能夠大幅降低電池及組件環(huán)節(jié)的銀耗，大幅降低組件生產(chǎn)成本。

3、請問公司碳化硅襯底業(yè)務(wù)的進展？

答：公司碳化硅襯底材料業(yè)務(wù)已實現(xiàn)6-8英寸碳化硅襯底規(guī)模化量產(chǎn)與銷售，量產(chǎn)的碳化硅襯底核心參數(shù)指標達到行業(yè)一流水平，8英寸碳化硅襯底技術(shù)和規(guī)模處于國內(nèi)前列，公司積極推進碳化硅襯底在全球的客戶驗證，送樣客戶范圍大幅提升，產(chǎn)品驗證進展順利，并成功獲取部分國際客戶批量訂單。同時公司首條12英寸碳化硅襯底加工中試線已正式通線。

4、請問公司12寸碳化硅襯底材料的進展？

答：2025年9月，公司首條12英寸碳化硅襯底加工中試線在子公司浙江晶瑞SuperSiC正式通線，至此，子公司浙江晶瑞SuperSiC真正實現(xiàn)了從晶體生長、加工到檢測環(huán)節(jié)的全線設(shè)備自主研發(fā)，100%國產(chǎn)化，標志著晶盛在全球SiC襯底技術(shù)從并跑向領(lǐng)跑邁進，邁入高效智造新階段。今年1月份，依托自主搭建的12英寸中試線，浙江晶瑞SuperSiC成功實現(xiàn)12英寸碳化硅襯底厚度均勻性（TTV）≤1μm的關(guān)鍵技術(shù)突破；這是繼建成行業(yè)首條12英寸碳化硅中試線后，晶盛機電研發(fā)中心與浙江晶瑞SuperSiC聯(lián)手取得的又一重大成果，充分彰顯了晶盛機電“裝備+材料”協(xié)同創(chuàng)新的核心優(yōu)勢。

5、請問公司碳化硅襯底材料的產(chǎn)能布局？

答：公司積極布局碳化硅產(chǎn)能，在上虞布局年產(chǎn)30萬片碳化硅襯底項目；并基于全球碳化硅產(chǎn)業(yè)的良好發(fā)展前景和廣闊市場，在馬來西亞檳城投建8英寸碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化項目，進一步強化公司在全球市場的供應(yīng)能力；同時，在銀川投建年產(chǎn)60萬片8英寸碳化硅襯底片配套晶體項目，不斷強化公司在碳化硅襯底材料領(lǐng)域的技術(shù)和規(guī)模優(yōu)勢。

6、請問公司半導(dǎo)體裝備業(yè)務(wù)進展？

答：公司依托半導(dǎo)體裝備國產(chǎn)替代的行業(yè)發(fā)展趨勢和機遇，積極推進半導(dǎo)體裝備的市場推廣。

在集成電路裝備領(lǐng)域，公司自主研發(fā)的12英寸常壓硅外延設(shè)備順利交付國內(nèi)頭部客戶，其電阻率、厚度均勻性、外延層缺陷密度、生產(chǎn)效率以及工藝重復(fù)性等關(guān)鍵指標達到國際先進水平。積極推進12英寸干進干出邊拋機、12英寸雙面減薄機等新產(chǎn)品的客戶驗證。12英寸硅減壓外延生長設(shè)備順利實現(xiàn)銷售出貨，設(shè)備采用單溫區(qū)、多溫區(qū)閉環(huán)控溫模式，結(jié)合多真空區(qū)間精準控壓技術(shù)，確保外延生長過程的高度穩(wěn)定性，其獨特的扁平腔體結(jié)構(gòu)和多口分流系統(tǒng)設(shè)計，能夠顯著提升外延層的膜厚均勻性和摻雜均勻性，滿足先進制程的高標準要求。成功開發(fā)應(yīng)用于先進封裝的超快紫外激光開槽設(shè)備，填補國內(nèi)高端紫外激光開槽技術(shù)領(lǐng)域的空白，實現(xiàn)國產(chǎn)替代。

在化合物半導(dǎo)體裝備領(lǐng)域，公司緊抓碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈向8英寸轉(zhuǎn)移的行業(yè)發(fā)展趨勢，充分發(fā)揮在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈裝備的核心技術(shù)優(yōu)勢，加強8英寸碳化硅外延設(shè)備以及6-8英寸碳化硅減薄設(shè)備的市場推廣，積極推進碳化硅氧化爐、激活爐以及離子注入等設(shè)備的客戶驗證，相關(guān)設(shè)備的市場工作進展順利，為規(guī)?；慨a(chǎn)奠定堅實基礎(chǔ)。