理想萬里暉申請異質(zhì)結(jié)太陽能電池制備方法及電池專利

7月22日國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，理想萬里暉半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司申請一項名為“異質(zhì)結(jié)太陽能電池的制備方法以及異質(zhì)結(jié)太陽電池”的專利，公開號CN120358822A，申請日期為2025年04月。

專利摘要顯示，本發(fā)明提供異質(zhì)結(jié)太陽能電池的制備方法以及異質(zhì)結(jié)太陽電池。所述制備方法首先提供單晶硅片并對其進(jìn)行制絨清洗，然后在單晶硅片的正反兩面上分別形成第一、第二本征非晶硅層，接著在第一本征非晶硅層上形成N型非晶/微晶硅層，之后在第二本征非晶硅層上形成P型非晶/微晶硅層，然后在N型非晶/微晶硅層、P型非晶/微晶硅層上分別形成第一、第二透明導(dǎo)電膜層，之后在第一、第二透明導(dǎo)電膜層上形成第一、第二減反膜層，接著形成穿過第一、第二減反膜層的第一、第二凹槽，然后通過電鍍工藝在第一、第二凹槽中分別形成第一電極以及第二電極，最后進(jìn)行退火工藝。

天眼查資料顯示，理想萬里暉半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以從事專用設(shè)備制造業(yè)為主的企業(yè)。企業(yè)注冊資本23512.8795萬人民幣。通過天眼查大數(shù)據(jù)分析，理想萬里暉半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司共對外投資了2家企業(yè)，參與招投標(biāo)項目11次，財產(chǎn)線索方面有商標(biāo)信息12條，專利信息124條，此外企業(yè)還擁有行政許可28個。