2025年6月11日上海SNEC國際光伏展-會議系列蓋錫筆記（Reduced silicon reflection from submicron pyramid resonances）

Reduced silicon reflection from submicron pyramid resonances

Martin Green 教授，Scientia Professor,UNSW Sydney(The University of New South Wales)

在SNEC 2025全球光伏科學家與前沿技術大會上，Martin Green教授領銜發(fā)布的亞微米金字塔共振技術引發(fā)行業(yè)高度關注。該技術通過將硅片表面粗糙度從傳統(tǒng)2微米精確控制在0.5-0.8微米范圍內，實現(xiàn)了短波長反射率從14.2%驟降至1.8%的突破性進展。實驗數(shù)據(jù)顯示，經表面優(yōu)化的156mm×156mm單晶硅電池在AM1.5標準光照下，短路電流密度提升5.6mA/cm2，開路電壓增加12mV，最終轉換效率達到26.8%，較常規(guī)PERC電池絕對效率提升1.5個百分點（相對效率提升5.9%）。特別值得注意的是，該技術在斜入射光（60°）條件下仍保持3.2%的超低反射率，解決了傳統(tǒng)絨面結構在非垂直光照時反射率驟增的技術瓶頸。

大會同期披露的跟蹤系統(tǒng)對比實驗進一步佐證了該技術的協(xié)同效應。采用亞微米金字塔共振技術的雙軸跟蹤系統(tǒng)，在寧夏光伏電站實測中實現(xiàn)年均發(fā)電量提升34.7%，系統(tǒng)效率達32.1%，較固定傾斜系統(tǒng)（29.4%）產生2.7個百分點的絕對效率增益。Green教授特別指出，這種表面微結構創(chuàng)新與"完美抗反射條件"的光學共振原理相結合，使界面折射率梯度呈現(xiàn)非線性優(yōu)化，在300-1100nm光譜范圍內平均反射損失僅1.2%，較行業(yè)平均水平降低8倍。

該成果直接呼應大會"前沿技術驅動光伏變革"的主題，通過亞微米尺度結構調控這一材料界面工程的突破，不僅使組件功率輸出提升8-10W/片，更將每瓦生產成本降低0.12元人民幣。現(xiàn)場展示的M10尺寸組件實證數(shù)據(jù)表明，在相同BOS成本下，系統(tǒng)LCOE可下降6.8%，為N型TOPCon和HJT等下一代技術提供了可量產的增效方案，展現(xiàn)出從實驗室創(chuàng)新到產業(yè)落地的完整技術路徑。