半導體材料的p型或n型性質(zhì)直接決定光電器件的最終性能。一般來說，沉積在p型基底上的鈣鈦礦傾向于p型，而沉積在n型基底上的鈣鈦礦傾向于n型。鑒于此，華東師范大學的李曉東和方俊峰教授團隊在期刊《Advanced Materials》發(fā)文，題為“Substrate Induced p–n Transition for Inverted Perovskite Solar Cells”，本文報道了一種基底誘導重生長策略，用于在倒置型PSCs中誘導鈣鈦礦表面的p到n型轉(zhuǎn)變。首先在p型基底上生長并結(jié)晶p型鈣鈦礦薄膜，然后將涂有飽和鈣鈦礦溶液的n型ITO/SnO2基底壓在鈣鈦礦薄膜上并進行退火處理，以誘導鈣鈦礦表面區(qū)域的二次重生長。這種策略實現(xiàn)了鈣鈦礦表面區(qū)域的p到n型轉(zhuǎn)變，并在鈣鈦礦表面區(qū)域引入了一個額外的pn結(jié)，從而增強了內(nèi)建電勢并促進了PSCs中的載流子提取。實驗結(jié)果顯示，采用基底誘導策略的倒置型PSCs展現(xiàn)出超過25%的高效率和良好的操作穩(wěn)定性，在65°C下按照ISOS-L-2協(xié)議進行最大功率點(MPP)跟蹤800小時后，仍能保持超過90%的初始效率。

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