蓋錫咨詢-14日SNEC會(huì)議筆記 -SNEC(2024)前沿技術(shù)大會(huì)-薄膜與鈣鈦礦上針對(duì)The introduction of the Dry Process for TCO, HTL and ETL

崔健先生在全球光伏前沿技術(shù)大會(huì)（6）：薄膜與鈣鈦礦上針對(duì)The introduction of the Dry Process for TCO, HTL and ETL by a lowdamage four facing targets sputtering cathode on perovskite photovoltaic進(jìn)行分享。

崔先生介紹為了實(shí)現(xiàn)低損傷濺鍍成膜，敝司自身開發(fā)了濺鍍陽(yáng)極 「RAM force cathodel 并采用此陰極對(duì)TCO ? HTL?ETL器件上的應(yīng)用進(jìn)行子驗(yàn)證。對(duì)下地面不造成損失的TCO的成膜變?yōu)榭赡?。平滑性高、透過率高膜的形成變?yōu)榭赡?、膜?00nm成膜時(shí)基板溫度60°C以下的低溫成膜變?yōu)榭赡埽琀TL的器件龐用進(jìn)行驗(yàn)證。

其次崔先生介紹了n-i-p構(gòu)造的器件上不使用C60直接在鈣鈦礦層上用SnO2作為ETL進(jìn)行成膜。

在同樣條件下、還導(dǎo)入了Post-annealing處理后的樣品與as depo樣品進(jìn)行比較。通過對(duì)下地面的損傷進(jìn)行抑制從而使TCOHTL。ETL采用濺鍍成膜變?yōu)榭赡堋Ｔ阝}鈦礦層上直接成膜也不會(huì)發(fā)生對(duì)器件損傷情況。通過Post-annealing處理可以使得SnO2膜的結(jié)晶性。carrier移動(dòng)度提高、從而改善了變換功率。