近日，捷佳偉創(chuàng)常州HJT中試線(xiàn)成功研發(fā)出具有行業(yè)先進(jìn)水平的射頻(RF)微晶P工藝，微晶P薄膜沉積速率超過(guò)2埃/秒，同時(shí)晶化率穩(wěn)定在50%以上。常州中試線(xiàn)制備的基于雙面微晶的12BB異質(zhì)結(jié)電池平均效率達(dá)到25.1%（德國(guó)ISFH（哈梅林）標(biāo)準(zhǔn)），電池良品率穩(wěn)定在98%以上。

射頻(RF)微晶P的高速高質(zhì)量沉積，一直是困擾異質(zhì)結(jié)大產(chǎn)能板式PECVD的技術(shù)難點(diǎn)，通過(guò)本次技術(shù)突破，捷佳偉創(chuàng)的大產(chǎn)能射頻板式PECVD預(yù)計(jì)將比市面上主流設(shè)備減少1-2個(gè)微晶P腔體。射頻(RF)微晶P設(shè)備工藝均勻性達(dá)到6%以?xún)?nèi)，穩(wěn)定性和重復(fù)性均在中試線(xiàn)量產(chǎn)設(shè)備上得到充分驗(yàn)證，達(dá)到行業(yè)先進(jìn)技術(shù)水平。

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