蓋錫咨詢-24日SNEC會議筆記 -SNEC(2023)第十六屆全球光伏前沿技術(shù)大會主題論壇

瑞能半導(dǎo)體SiC高級產(chǎn)品市場經(jīng)理 王越

在5月24日第十六屆全球光伏前沿技術(shù)大會主題論壇上，瑞能半導(dǎo)體SiC高級產(chǎn)品市場經(jīng)理王越對碳化硅功率器件產(chǎn)品進行了分享介紹。

瑞能SiC晶圓技術(shù)現(xiàn)在達到了6英寸晶圓高功率密度，未來將挑戰(zhàn)8英寸晶圓。 瑞能半號體 SiC MOSFET精細調(diào)整負溫度系數(shù)特性，使得Rdson隨溫度交化較量減小，更適合高溫應(yīng)用。經(jīng)過優(yōu)化的柵極氧化層確保器件在15V門極驅(qū)動電壓下正常工作，更容易在傳統(tǒng)設(shè)計中直接導(dǎo)入替換。同時，其擁有極低的Ronsp，功率密度更高，產(chǎn)品克爭力更強。

王越介紹到，瑞能半導(dǎo)體源自于NXP，自2011年以來，瑞能持續(xù)研發(fā)并推出多款SiC功率半導(dǎo)體器件，出貨量累計4000萬顆。瑞能Sic 二極管，已經(jīng)完成6次產(chǎn)品迭代，G6產(chǎn)品擁有1.26V超低VF瑞能SiC MOSFET，正在進行第3代產(chǎn)品溝槽柵工藝研發(fā)，目前第2代產(chǎn)品已擁有業(yè)內(nèi)最低的2.6m Ω?cm2比導(dǎo)通電阻。

作為全球功率半導(dǎo)體行業(yè)的佼佼者，瑞能始終專注于研發(fā)行業(yè)領(lǐng)先、廣泛且深入的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合，公司主要產(chǎn)品主要包括碳化硅器件，可控硅整流器和晶閘管，快恢二極管，TVS,ESD,IGBT,模塊等。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于以家電為代表的消費電子、以通信電源為代表的工業(yè)制造、新能源及汽車等領(lǐng)域。