HJT產(chǎn)業(yè)鏈簡(jiǎn)單梳理一、HJT電池是什么? HJT電池全稱為晶體硅異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池,由晶硅材料和非晶材料形成,在晶體硅上形成非晶體薄膜,并通過(guò)特殊的技術(shù)讓P型和N型半導(dǎo)體構(gòu)成一種特殊的PN結(jié),本身屬于N型電池的一種。 二、HJT優(yōu)點(diǎn) 1.高開(kāi)路電壓,轉(zhuǎn)換效率高;2.功率衰減弱;3.溫度系數(shù)低,輸出功率穩(wěn)定;4.結(jié)構(gòu)對(duì)稱,支持薄片化和雙面發(fā)電;5.工藝流程簡(jiǎn)單;6.可結(jié)合其他技術(shù),比如異質(zhì)結(jié)/鈣鈦礦疊層電池。 三、HJT產(chǎn)業(yè)鏈 相比于原來(lái)PERC電池9-10步工藝,HJT電池工藝縮減到四步,分別為:制絨清洗、非晶硅沉積、TCO導(dǎo)電膜沉積、絲網(wǎng)印刷。這四大工藝對(duì)應(yīng)的主要設(shè)備分別為清洗設(shè)備、CVD(化學(xué)氣相沉積法)設(shè)備、PVD(物理氣相沉積法)設(shè)備、絲網(wǎng)印刷設(shè)備。 具體來(lái)說(shuō): 首先是制絨清洗:該步驟的主要目的是去除N型襯底表面雜質(zhì)和機(jī)械損傷層,形成金字塔絨面,陷光并減少表面反射。該步驟雖然采用了與PERC相似的濕法化學(xué)清洗設(shè)備,但對(duì)刻蝕損傷層厚度有著更高的要求,且需要在低溫環(huán)境進(jìn)行。 非晶硅薄膜沉積:非晶硅薄膜沉積包括本征非晶硅膜和摻雜非晶硅膜的沉積。HIT電池高效率的根源在于本征非晶硅薄膜優(yōu)良的鈍化效果。鈍化可以降低表面缺陷對(duì)于少數(shù)載流子的復(fù)合作用,以達(dá)到提高晶體硅太陽(yáng)電池的效率的目的。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),含氫的SiNx膜對(duì)于硅表面具有很強(qiáng)的鈍化作用,用來(lái)制備SiNx膜的方法包括:化學(xué)氣相沉積法(CVD法)、等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD法)、低壓化學(xué)氣相沉積法(LPCVD法)。在目前產(chǎn)業(yè)上常用的是PECVD法。在PECVD設(shè)備中除了制作硅片的鈍化膜還會(huì)制作PN結(jié)。PECVD分為板式PECVD和管式PECVD。板式PECVD的代表企業(yè)為$邁為股份,管式PECVD的代表企業(yè)為$捷佳偉創(chuàng)。相比于PECVD鍍膜均勻、生產(chǎn)節(jié)奏快等明顯優(yōu)點(diǎn),縱向?qū)盈B式工藝的CAT-CVD設(shè)備雖然的薄膜質(zhì)量高、系統(tǒng)簡(jiǎn)單,但是對(duì)自動(dòng)化要求高,且設(shè)備復(fù)雜成本高,不容易做大規(guī)模。 TCO導(dǎo)電膜沉積:TCO 薄膜是在兩側(cè)鍍上透明氧化物導(dǎo)電薄膜,可增強(qiáng)電荷輸送能力,可以有效解決非晶硅薄膜層整體呈現(xiàn)長(zhǎng)程無(wú)序結(jié)構(gòu),層內(nèi)載流子遷移率較低,造成的電池電流不能充分地被金屬電極收集問(wèn)題。包括RPD(反應(yīng)等離子體沉積)和PVD(物理化學(xué)氣象沉積)兩種方法。其中PVD下的磁控濺射為目前主流方法。
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