白光鈣鈦礦發(fā)光二極管制備成功中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理學(xué)院肖正國教授課題組與化學(xué)與材料學(xué)院陳濤教授課題組合作,利用表面能很低的聚二甲基硅氧烷(PDMS)襯底,實(shí)現(xiàn)了鈣鈦礦薄膜的巨量轉(zhuǎn)移,并基于此成功制備出白光鈣鈦礦發(fā)光二極管。相關(guān)成果日前發(fā)表在《先進(jìn)材料》雜志上。 金屬鹵化物鈣鈦礦是新一代的明星半導(dǎo)體材料,它具有優(yōu)異的光電特性,在太陽能電池、發(fā)光二極管、X射線探測器等領(lǐng)域都具有非常廣闊的應(yīng)用前景。但是在之前的研究中,鈣鈦礦薄膜只能夠沉積在剛性平面襯底上,這遠(yuǎn)遠(yuǎn)無法滿足實(shí)際應(yīng)用中的很多需求。 為此,肖正國教授課題組使用表面能很低的PDMS襯底進(jìn)行鈣鈦礦薄膜和微納結(jié)構(gòu)的巨量轉(zhuǎn)移。在不改變鈣鈦礦薄膜的表面形貌、成分和光電性能的前提下,成功將鈣鈦礦薄膜轉(zhuǎn)移到柔性襯底上。他們在器件制備過程中,使用一層超薄的支化聚乙烯亞胺作為鈣鈦礦與傳輸層之間的化學(xué)結(jié)合層,從而大大增強(qiáng)轉(zhuǎn)移器件界面處的電接觸。膜轉(zhuǎn)移方法制備的鈣鈦礦發(fā)光二極管具有與優(yōu)化的旋涂器件相同的外量子效率。另外,使用該方法還能夠制備高分辨率、大面積鈣鈦礦微納結(jié)構(gòu)。在此基礎(chǔ)上,通過將紅光鈣鈦礦條紋與天藍(lán)光鈣鈦礦條紋交替排列,成功制備出了白光鈣鈦礦發(fā)光二極管。 這一成果提供了一種在多種襯底上制備鈣鈦礦薄膜或微納結(jié)構(gòu)的可行方法,用于實(shí)現(xiàn)全彩色顯示、白光鈣鈦礦發(fā)光二極管和激光器等實(shí)際應(yīng)用。
免責(zé)聲明:Gesse蓋錫咨詢力求提供的信息準(zhǔn)確、信息所述內(nèi)容及觀點(diǎn)的客觀公正,但并不保證其是否需要進(jìn)行必要變更。Gesse蓋錫咨詢提供的信息僅供客戶決策參考,并不構(gòu)成對客戶決策的直接建議,客戶不應(yīng)以此取代自己的獨(dú)立判斷,客戶做出的任何決策與Gessey蓋錫咨詢無關(guān)。本報(bào)告版權(quán)歸Gessey蓋錫咨詢所有,為非公開資料,僅供Gessey蓋錫咨詢客戶自身使用;本文為Gessey蓋錫咨詢編輯,如需使用,請聯(lián)系news@gessey.com申請授權(quán),未經(jīng)Gessey蓋錫咨詢書面授權(quán),任何人不得以任何形式傳播、發(fā)布、復(fù)制本報(bào)告。Gessey蓋錫咨詢保留對任何侵權(quán)行為和有悖報(bào)告原意的引用行為進(jìn)行追究的權(quán)利。 |